GaN (transistor GaN) vs SiC (transistor SiC) 반도체 비교
차세대 전력 반도체 기술의 중심에는 GaN(Gallium Nitride)과 SiC(Silicon Carbide)가 있습니다. 두 기술은 기존 실리콘(Si) 대비 효율과 내열성에서 뛰어나며, 전기차, 서버, 5G, 재생에너지 등 다양한 분야에서 각광받고 있습니다. GaN과 SiC 반도체의 기본 개념GaN과 SiC는 모두 와이드밴드갭(Wide Bandgap) 소재로, 고전압, 고온, 고주파 환경에서 안정적으로 동작합니다. 이들은 기존 Si 기반 MOSFET을 대체하며 전력 변환 효율을 극대화합니다.GaN (Gallium Nitride): 고속 스위칭, 낮은 게이트 전하, 저손실에 유리.SiC (Silicon Carbide): 고전압·고전류 내성이 뛰어나며, 산업용 고출력 응용에 적합. 물리적 특성 비교항..
